Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.kmf.uz.ua/jspui/handle/123456789/3391
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Shender Iryna | en |
dc.contributor.author | Шендер Ірина | uk |
dc.contributor.author | Pogodin Artem | en |
dc.contributor.author | Погодін Артем | uk |
dc.contributor.author | Filep Mykhailo | en |
dc.contributor.author | Філеп Михайло | uk |
dc.contributor.author | Filep Mihály | hu |
dc.contributor.author | Malakhovska Tetyana | en |
dc.contributor.author | Малаховська Тетяна | uk |
dc.contributor.author | Oleksandr Kokhan | en |
dc.contributor.author | Кохан Олександр | uk |
dc.contributor.author | Vitaliy Bilanych | en |
dc.contributor.author | Біланич Віталій | uk |
dc.contributor.author | Skubenych Kateryna | en |
dc.contributor.author | Скубенич Катерина | uk |
dc.contributor.author | Symkanych Olesya | en |
dc.contributor.author | Симканич Олеся | uk |
dc.contributor.author | Izai Vitalii | en |
dc.contributor.author | Ізай Віталій | uk |
dc.contributor.author | Suslikov Leonid | en |
dc.contributor.author | Сусліков Леонід | uk |
dc.date.accessioned | 2024-03-07T10:18:37Z | - |
dc.date.available | 2024-03-07T10:18:37Z | - |
dc.date.issued | 2023 | - |
dc.identifier.citation | In Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2023. Volume 26., № 4. pp. 408-414. | en |
dc.identifier.issn | 1605-6582 (Online) | - |
dc.identifier.issn | 1560-8034 (Print) | - |
dc.identifier.other | DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo | - |
dc.identifier.other | DOI: https://doi.org/10.15407/spqeo26.04.408 | - |
dc.identifier.uri | https://dspace.kmf.uz.ua/jspui/handle/123456789/3391 | - |
dc.description | Contents: http://journal-spqeo.org.ua/n4_2023/n4_2023_contents.htm Editorial board: http://journal-spqeo.org.ua/EditorialBoard.html | en |
dc.description.abstract | Abstract. Herein we present the results of microhardness investigations aimed at monocrystalline samples of Ag7(Si1–xGex)S5I (0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1) and Ag6+x(P1–xGex)S5I (0, 0.25, 0.5, 0.75, 1) solid solutions. The dependence of microhardness H on the load P and composition were investigated. It has been observed that the microhardness dependence on the applied load is characterized by a tendency to decrease with increasing the load. It indicates a presence of “normal” size effect in both Ag7(Si1–xGex)S5I and Ag6+x(P1–xGex)S5I (0, 0.25, 0.5, 0.75, 1) solid solutions. The revealed size effects of hardness in single crystals of Ag7(Si1–xGex)S5I and Ag6+x(P1-xGex)S5I solid solutions have been analyzed within the framework of the gradient theory of plasticity. The corresponding parameters of the model of geometrically necessary dislocations have been determined. | en |
dc.description.abstract | Резюме. У даній роботі наведено результати досліджень мікротвердості монокристалічних зразків твердих розчинів Ag7(Si1–xGex)S5I (0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1) та Ag6+x(P1–xGex)S5I (0, 0.25, 0.5, 0.75, 1). З’ясовано залежність мікротвердості H від навантаження P та складу. Виявлено, що залежність мікротвердості від прикладеного навантаження характеризується тенденцією до зменшення зі збільшенням навантаження. Це свідчить про наявність прямого розмірного ефекту як у твердих розчинах Ag7(Si1–xGex)S5I, так і Ag6+x(P1–xGex)S5I. Виявлені розмірні ефекти зміни твердості у монокристалах твердих розчинів складу Ag7(Si1–xGex)S5I та Ag6+x(P1–xGex)S5I було проаналізовано в рамках градієнтної теорії пластичності. Визначено відповідні параметри моделі геометрично необхідних дислокацій. | uk |
dc.description.sponsorship | This work was supported by the National Scholarship Programme of the Slovak Republic [Grant ID 45327]. | en |
dc.language.iso | en | en |
dc.relation.ispartofseries | ;Volume 26., № 4. | - |
dc.rights | Attribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States | * |
dc.rights.uri | http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/ | * |
dc.subject | argyrodite | en |
dc.subject | single crystal | en |
dc.subject | microhardness | en |
dc.title | Influence of cation Si 4+ ↔ Ge 4+ and P 5+ ↔ Ge 4+ substitution on the mechanical parameters of single crystals Ag7 (Si 1–x Ge x )S5I and Ag6+x (P1–x Gex )S5I | en |
dc.title.alternative | Вплив катіонного Si 4+ ↔ Ge 4+ and P 5+ ↔ Ge 4+ заміщення на механічні параметри монокристалів Ag7 (Si 1–x Ge x )S5I та Ag6+x (P1–x Gex )S5I | en |
dc.type | dc.type.collaborative | en |
Appears in Collections: | Filep Mihály |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Shender_I_Pogodin_A_Filep_M_Influence_of_cation_Si4_Ge4_and_P5_Ge4_substitution_2023.pdf | In Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2023. Volume 26., № 4. pp. 408-414. | 827.86 kB | Adobe PDF | View/Open |
This item is licensed under a Creative Commons License