Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://dspace.kmf.uz.ua/jspui/handle/123456789/3391
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorShender Irynaen
dc.contributor.authorШендер Іринаuk
dc.contributor.authorPogodin Artemen
dc.contributor.authorПогодін Артемuk
dc.contributor.authorFilep Mykhailoen
dc.contributor.authorФілеп Михайлоuk
dc.contributor.authorFilep Mihályhu
dc.contributor.authorMalakhovska Tetyanaen
dc.contributor.authorМалаховська Тетянаuk
dc.contributor.authorOleksandr Kokhanen
dc.contributor.authorКохан Олександрuk
dc.contributor.authorVitaliy Bilanychen
dc.contributor.authorБіланич Віталійuk
dc.contributor.authorSkubenych Katerynaen
dc.contributor.authorСкубенич Катеринаuk
dc.contributor.authorSymkanych Olesyaen
dc.contributor.authorСимканич Олесяuk
dc.contributor.authorIzai Vitaliien
dc.contributor.authorІзай Віталійuk
dc.contributor.authorSuslikov Leoniden
dc.contributor.authorСусліков Леонідuk
dc.date.accessioned2024-03-07T10:18:37Z-
dc.date.available2024-03-07T10:18:37Z-
dc.date.issued2023-
dc.identifier.citationIn Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2023. Volume 26., № 4. pp. 408-414.en
dc.identifier.issn1605-6582 (Online)-
dc.identifier.issn1560-8034 (Print)-
dc.identifier.otherDOI: https://doi.org/10.15407/spqeo-
dc.identifier.otherDOI: https://doi.org/10.15407/spqeo26.04.408-
dc.identifier.urihttps://dspace.kmf.uz.ua/jspui/handle/123456789/3391-
dc.descriptionContents: http://journal-spqeo.org.ua/n4_2023/n4_2023_contents.htm Editorial board: http://journal-spqeo.org.ua/EditorialBoard.htmlen
dc.description.abstractAbstract. Herein we present the results of microhardness investigations aimed at monocrystalline samples of Ag7(Si1–xGex)S5I (0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1) and Ag6+x(P1–xGex)S5I (0, 0.25, 0.5, 0.75, 1) solid solutions. The dependence of microhardness H on the load P and composition were investigated. It has been observed that the microhardness dependence on the applied load is characterized by a tendency to decrease with increasing the load. It indicates a presence of “normal” size effect in both Ag7(Si1–xGex)S5I and Ag6+x(P1–xGex)S5I (0, 0.25, 0.5, 0.75, 1) solid solutions. The revealed size effects of hardness in single crystals of Ag7(Si1–xGex)S5I and Ag6+x(P1-xGex)S5I solid solutions have been analyzed within the framework of the gradient theory of plasticity. The corresponding parameters of the model of geometrically necessary dislocations have been determined.en
dc.description.abstractРезюме. У даній роботі наведено результати досліджень мікротвердості монокристалічних зразків твердих розчинів Ag7(Si1–xGex)S5I (0, 0.2, 0.4, 0.6, 0.8, 1) та Ag6+x(P1–xGex)S5I (0, 0.25, 0.5, 0.75, 1). З’ясовано залежність мікротвердості H від навантаження P та складу. Виявлено, що залежність мікротвердості від прикладеного навантаження характеризується тенденцією до зменшення зі збільшенням навантаження. Це свідчить про наявність прямого розмірного ефекту як у твердих розчинах Ag7(Si1–xGex)S5I, так і Ag6+x(P1–xGex)S5I. Виявлені розмірні ефекти зміни твердості у монокристалах твердих розчинів складу Ag7(Si1–xGex)S5I та Ag6+x(P1–xGex)S5I було проаналізовано в рамках градієнтної теорії пластичності. Визначено відповідні параметри моделі геометрично необхідних дислокацій.uk
dc.description.sponsorshipThis work was supported by the National Scholarship Programme of the Slovak Republic [Grant ID 45327].en
dc.language.isoenen
dc.relation.ispartofseries;Volume 26., № 4.-
dc.rightsAttribution-NonCommercial-NoDerivs 3.0 United States*
dc.rights.urihttp://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/3.0/us/*
dc.subjectargyroditeen
dc.subjectsingle crystalen
dc.subjectmicrohardnessen
dc.titleInfluence of cation Si 4+ ↔ Ge 4+ and P 5+ ↔ Ge 4+ substitution on the mechanical parameters of single crystals Ag7 (Si 1–x Ge x )S5I and Ag6+x (P1–x Gex )S5Ien
dc.title.alternativeВплив катіонного Si 4+ ↔ Ge 4+ and P 5+ ↔ Ge 4+ заміщення на механічні параметри монокристалів Ag7 (Si 1–x Ge x )S5I та Ag6+x (P1–x Gex )S5Ien
dc.typedc.type.collaborativeen
Розташовується у зібраннях:Filep Mihály

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Shender_I_Pogodin_A_Filep_M_Influence_of_cation_Si4_Ge4_and_P5_Ge4_substitution_2023.pdfIn Semiconductor Physics, Quantum Electronics & Optoelectronics. 2023. Volume 26., № 4. pp. 408-414.827.86 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Ліцензія на матеріал: Ліцензія Creative Commons Creative Commons